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依客思LED防爆灯原理及特性

 更新时间:2015-04-16 点击量:1455

LED原理及特性

发光原理

发光二管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光,如图1所示。

假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。

理论和实践证明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关,即

λ≈1240/Eg(mm)

式中Eg的单位为电子伏特(eV)。若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。使用不普遍。

?特性

(1)允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的大值。超过此值,LED发热、损坏。

(2)大正向直流电流IFm:允许加的大的正向直流电流。超过此值可损坏二管。

(3)大反向电压VRm:所允许加的大反向电压。超过此值,发光二管可能被击穿损坏。

(4)工作环境topm:发光二管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围,发光二管将不能正常工作,效率大大降低。

(5)打开电源时,不会产生火花,从而在危险空间不会因火花而发生爆炸的可能,达到防爆的效果,所以叫防爆手电。

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